对比图
描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)N - CHANNEL 400V - 0.75欧姆 - 5.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFETN - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 400 V -
额定电流 - 5.50 A -
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 750 mΩ 750 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 100 W 100 W
漏源极电压(Vds) - 400 V -
漏源击穿电压 - 400 V 400 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) - 5.50 A 7.00 A
上升时间 - 11 ns 7.5 ns
输入电容(Ciss) - 530pF @25V(Vds) -
下降时间 - 9 ns 9 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) - 100W (Tc) -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 9.15 mm
封装 - TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -