71256L35DB和IDT71256L35TDB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71256L35DB IDT71256L35TDB 71256L35TDB

描述 SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 35ns 28Pin CDIP TubeCMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 35ns 28Pin CDIP Tube

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 CDIP-28 CDIP CDIP

存取时间 35 ns - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

电源电压 5 V - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

长度 37.2 mm - 37.7 mm

宽度 15.24 mm - 7.62 mm

高度 1.65 mm - -

封装 CDIP-28 CDIP CDIP

厚度 1.65 mm - 3.56 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

工作温度 - - -55℃ ~ 125℃

ECCN代码 - 3A001 -

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