1N5712-1和JAN1N5712-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5712-1 JAN1N5712-1 712

描述 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES每肖特基二极管合格MIL -PRF-四百四十四分之一万九千五百 Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.075A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

正向电压 1 V 1 V -

正向电流 75 mA 75 mA -

正向电流(Max) 0.075 A 0.075 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -

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