PIC16F819T-I/SO和PIC16F819-E/P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC16F819T-I/SO PIC16F819-E/P PIC16F819-I/SO

描述 MICROCHIP  PIC16F819T-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC16F8xxx, 20 MHz, 3.5 KB, 256 Byte, 18 引脚, SOICPIC16 系列 256 B RAM 3.5 kB 闪存 8 位 微控制器 - PDIP-18MICROCHIP  PIC16F819-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC16F, 20 MHz, 3.5 KB, 256 Byte, 18 引脚, SOIC

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 8位微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 18 18 18

封装 SOIC-18 PDIP-18 SOIC-18

频率 20 MHz - 20 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - - 2V ~ 5.5V

针脚数 18 - 18

时钟频率 20.0MHz (max) 20.0MHz (max) 20 MHz

RAM大小 256 b 256 x 8 256 B

位数 8 - 8

耗散功率 1000 mW 1000 mW 1000 mW

FLASH内存容量 - - 3.5 KB

I/O引脚数 16 16 16

存取时间 20.0 µs 20.0 µs 20.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内存容量 - - 2000 B

内核子架构 PIC16 PIC16 PIC16

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 16 Input - 16 Input

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 4 V - 4 V

长度 - 22.86 mm 11.73 mm

宽度 7.49 mm 6.35 mm 7.59 mm

高度 - 3.3 mm 2.39 mm

封装 SOIC-18 PDIP-18 SOIC-18

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

HTS代码 - - 8542310001

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