2SC5226和PRF947,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC5226 PRF947,115 2N395

描述 NPN epitaxial planar silicon transistor, VHF to UHF wide-band low-noise amp application射频双极晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsRF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-18

数据手册 ---

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) NXP (恩智浦) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

频率 - 8500 MHz -

耗散功率 - 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 10 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @5mA, 6V -

最大电流放大倍数(hFE) - 50 -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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