IXFH12N90P和IXFT12N90Q

对比图

型号 IXFH12N90P IXFT12N90Q APT1001RBLC

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N90P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 VMOSFET N-CH 900V 12A TO-268POWER MOS VI 1000V 11A 1Ω

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Advanced Power Technology

分类 中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount -

引脚数 3 - -

封装 TO-247-3 TO-268-3 -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.9 Ω 900 mΩ -

极性 N-Channel - -

耗散功率 380 W 300 W -

阈值电压 3.5 V - -

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V -

连续漏极电流(Ids) 6A - -

上升时间 34 ns 23 ns -

输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds) -

下降时间 68 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 380W (Tc) 300W (Tc) -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 900 V -

封装 TO-247-3 TO-268-3 -

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -