IRG4PF50WDPBF和IXGH24N60A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4PF50WDPBF IXGH24N60A IGW60T120

描述 INFINEON  IRG4PF50WDPBF  单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 48A 3Pin(3+TAB) TO-247ADINFINEON  IGW60T120  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 48.0 A -

击穿电压(集电极-发射极) 900 V 600 V 1200 V

额定功率(Max) 200 W 150 W 375 W

额定功率 200 W - 375 W

针脚数 3 - 3

极性 N-Channel - -

耗散功率 200 W - 375 W

上升时间 52.0 ns - -

反向恢复时间 90 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW - 375 W

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.9 mm - 15.9 mm

宽度 5.3 mm - 5.3 mm

高度 20.3 mm - 20.95 mm

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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