DS1225AB-70+和DS1225AB-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225AB-70+ DS1225AB-70IND+ DS1225AB-85

描述 Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-28非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28IC NVSRAM 64Kbit 85NS 28DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 28

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 - - 85.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 85 ns

内存容量 - - 64000 B

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.25 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V

针脚数 - 28 -

长度 - - 39.12 mm

宽度 - - 18.29 mm

高度 - - 9.4 mm

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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