VND830和VND83013TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND830 VND83013TR

描述 双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16

输出接口数 2 2

输出电流 - 9 A

耗散功率 8300 mW 8300 mW

输出电流(Max) 6 A 6 A

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃

电源电压(Max) - 36 V

电源电压(Min) - 5.5 V

供电电流 0.012 mA -

输出电流(Min) 9 A -

耗散功率(Max) 8300 mW -

电源电压 5.5V ~ 36V -

封装 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台