APT20GF120SRDQ1G和IXGT15N120BD1

对比图

型号 APT20GF120SRDQ1G IXGT15N120BD1 IXGT28N120BD1

描述 IGBT w/ anti-parallel diodeATrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-268AATrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin(2+Tab) TO-268

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-268 TO-268-3 TO-268-3

耗散功率 - 150000 mW 250000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V 1200 V

反向恢复时间 - 40 ns 40 ns

额定功率(Max) - 150 W 250 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 150000 mW 250000 mW

额定电压(DC) 1.20 kV - -

额定电流 36.0 A - -

长度 - - 16.05 mm

宽度 - - 14 mm

高度 - 5.1 mm 5.1 mm

封装 TO-268 TO-268-3 TO-268-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free