对比图
型号 IXTQ30N50L IXTQ30N50L2 IXTT30N50L2
描述 TO-3P N-CH 500V 30AIXYS SEMICONDUCTOR IXTQ30N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTT30N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-268-3
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.2 Ω 0.2 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 400W (Tc) 400 W 400 W
阈值电压 - 2.5 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - - 500 V
输入电容(Ciss) 10200pF @25V(Vds) 8100pF @25V(Vds) 8100pF @25V(Vds)
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 30A 30A -
上升时间 - 117 ns -
额定功率(Max) - 400 W -
下降时间 - 40 ns -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-268-3
长度 - 15.8 mm -
宽度 - 4.9 mm -
高度 - 20.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2017/01/12 2015/06/15