BUK764R0-55B和BUK764R0-55B,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK764R0-55B BUK764R0-55B,118

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-404 TO-263-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 0.004 Ω 0.004 Ω

耗散功率 300 W 300 W

阈值电压 3 V 3 V

输入电容 - 5082 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

上升时间 - 51 ns

输入电容(Ciss) - 6776pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W

下降时间 - 41 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc)

极性 N-Channel -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A -

封装 SOT-404 TO-263-3

高度 - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Exempt

含铅标准 - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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