BZV55-B13,115和BC847B,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B13,115 BC847B,215 TZMB13-GS18

描述 NXP  BZV55-B13,115  单管二极管 齐纳, 13 V, 500 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °CNXP  BC847B,215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管双极性晶体管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 3 2

封装 SOD-80 SOT-23-3 SOD-80

容差 ±2 % - ±2 %

针脚数 2 3 -

正向电压 900mV @10mA - 1.5V @200mA

极性 NPN NPN -

耗散功率 500 mW 250 mW 500 mW

测试电流 5 mA - 5 mA

稳压值 13 V - 13 V

正向电压(Max) 900mV @10mA - -

额定功率(Max) 500 mW 250 mW 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 0.25 W 500 mW

频率 - 100 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V -

直流电流增益(hFE) - 200 -

封装 SOD-80 SOT-23-3 SOD-80

长度 - 3 mm 3.7 mm

宽度 - 1.4 mm 1.6 mm

高度 - 1 mm 1.6 mm

工作温度 -65℃ ~ 200℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃

温度系数 9.4 MV/K - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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