HGTP20N60A4和STGP20NC60V

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HGTP20N60A4 STGP20NC60V IRGB20B60PD1PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTP20N60A4  单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚STMICROELECTRONICS  STGP20NC60V  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-220, 3 引脚INTERNATIONAL RECTIFIER  IRGB20B60PD1PBF  晶体管, 单路, IGBT, 600V, 40A 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 70.0 A 30 A 40.0 A

额定功率 290 W - -

针脚数 3 3 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 290 W 200 W 215 W

上升时间 12.0 ns 11.0 ns 5 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 290 W 200 W 215 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 290000 mW 200 W -

产品系列 - - IRGB20B60PD1

热阻 - - 0.58℃/W (RθJC)

反向恢复时间 - - 28 ns

宽度 4.83 mm 4.6 mm 4.69 mm

高度 9.4 mm 15.75 mm 8.77 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.54 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

重量 - 0.0960001099056 kg -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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