对比图
型号 IXTU01N100D IXTY01N100D IXTP01N100D
描述 Mosfet n-Ch 1000V 0.1A To-251MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100mA TO-25TO-220AD N-CH 1000V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-220-3
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 80000 mΩ 80 Ω
耗散功率 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1 W 25 W
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
漏源击穿电压 - 1000 V 1000 V
上升时间 10 ns 10 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 120pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1.1 W 1.1 W
下降时间 64 ns 64 ns 64 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
额定电压(DC) - - 1.00 kV
额定电流 - - 4.00 A
极性 - - N-CH
连续漏极电流(Ids) - - 100 mA
长度 - 6.73 mm 10.66 mm
宽度 - 6.22 mm 4.83 mm
高度 - 2.38 mm 9.15 mm
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free