BCR135E6327HTSA1和PDTC144VM,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR135E6327HTSA1 PDTC144VM,315 MMUN2214LT1G

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3PDTC144V series - NPN配电阻晶体管;R1 = 47 kOhm,R2 = 10 kOhmNPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-883 SOT-23-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.2 W 250 mW 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 70 @5mA, 5V 40 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 200 mW 250 mW 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 250 mW 400 mW

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

增益带宽 150 MHz - -

额定功率 - - 246 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

高度 0.9 mm 0.47 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-883 SOT-23-3

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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