对比图
型号 BCR135E6327HTSA1 PDTC144VM,315 MMUN2214LT1G
描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3PDTC144V series - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 10 kOhmNPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-883 SOT-23-3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.2 W 250 mW 0.4 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 70 @5mA, 5V 40 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V
额定功率(Max) 200 mW 250 mW 246 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200 mW 250 mW 400 mW
额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V
额定电流 100 mA - 100 mA
增益带宽 150 MHz - -
额定功率 - - 246 mW
无卤素状态 - - Halogen Free
最大电流放大倍数(hFE) - - 80
高度 0.9 mm 0.47 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-883 SOT-23-3
长度 2.9 mm - 2.9 mm
宽度 1.3 mm - 1.3 mm
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99