对比图
型号 IPP70N10S3L-12 IPP70N10S3L12AKSA1 IPI70N10S3L12AKSA1
描述 Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFETOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP70N10S3L12AKSA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI70N10S3L12AKSA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - 125W (Tc) 125W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 70A 70A 70A
上升时间 - 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 4270pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds)
下降时间 - 5 ns 5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125 W 125W (Tc) 125W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 12 mΩ - -
漏源击穿电压 100 V - -
长度 10 mm 10 mm 10 mm
宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.4 mm
高度 15.65 mm 15.65 mm 9.25 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 无铅