对比图
型号 MWI25-12A7 SM35 BSM35GD120DN2E3224
描述 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24Pin E2-PackInsulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-ChannelInsulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Siemens Semiconductor (西门子) Siemens Semiconductor (西门子)
分类 IGBT晶体管
安装方式 Screw - -
引脚数 24 - -
封装 E2-Pack - -
耗散功率 225000 mW - -
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -
输入电容(Cies) 1.65nF @25V - -
额定功率(Max) 225 W - -
工作温度(Max) 125 ℃ - -
工作温度(Min) -40 ℃ - -
耗散功率(Max) 225000 mW - -
高度 17 mm - -
封装 E2-Pack - -
工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Bulk - -
RoHS标准 RoHS Compliant - -
含铅标准 Lead Free - -