IDT71016S12YGI和IDT71016S12YI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71016S12YGI IDT71016S12YI CY7C1021B-12VXC

描述 CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

封装 BSOJ-44 BSOJ-44 BSOJ-44

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 - - 12.0 GHz

存取时间 - - 12.0 ns

内存容量 - - 1000000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

封装 BSOJ-44 BSOJ-44 BSOJ-44

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991 3A991 -

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