IRS2113SPBF和IRS2113STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS2113SPBF IRS2113STRPBF AUIRS2301STR

描述 INFINEON  IRS2113SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 120ns延迟, SOIC-16P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 8

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-8

电源电压(DC) 10.0V (min) 10.0V (min) -

上升/下降时间 25ns, 17ns 25ns, 17ns 130ns, 50ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 2.5 A 2.5 A -

针脚数 16 16 8

耗散功率 1250 mW 1.25 W 625 mW

上升时间 - 35 ns 130 ns

下降时间 - 25 ns 50 ns

下降时间(Max) 25 ns 25 ns 80 ns

上升时间(Max) 35 ns 35 ns 220 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 5V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 5 V

静态电流 - - 160 µA

额定功率 1.25 W - -

输出电压 600 V - -

通道数 2 - -

长度 10.5 mm 10.5 mm -

宽度 7.6 mm 7.6 mm -

高度 2.35 mm 2.35 mm -

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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