对比图
型号 IRFS31N20DPBF IRFS31N20DTRR IRFS23N20DPBF
描述 N 通道功率 MOSFET 30A 至 39A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 200V 31AINFINEON IRFS23N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 200 W - 170 W
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.082 Ω - 0.1 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 3.1 W 3.1W (Ta), 200W (Tc) 3.8 W
阈值电压 5.5 V - 5.5 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 31A 31.0 A 24A
上升时间 38 ns 38.0 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 2370pF @25V(Vds) 2370pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W 3.1 W -
下降时间 10 ns - 16 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
额定电压(DC) - 200 V -
额定电流 - 31.0 A -
产品系列 - IRFS31N20D -
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 9.65 mm - 9.65 mm
高度 4.83 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17