BSH105和BSH105,235

对比图

型号 BSH105 BSH105,235 BSH105TRL13

描述 BSH105 N沟道MOSFET 20V 1.05A SOT-23/SC-59 marking/标记 PJ5 低噪声增益控制放大器TO-236AB N-CH 20V 1.05ASmall Signal Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

漏源极电阻 - 0.27 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 417 mW -

阈值电压 - 570 mV -

漏源极电压(Vds) - 20 V -

连续漏极电流(Ids) - 1.05A -

上升时间 - 4.5 ns -

输入电容(Ciss) - 152pF @16V(Vds) -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 417mW (Ta) -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -