TLV2254QDREP和TLV2324IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2254QDREP TLV2324IDR TLV2254AQD

描述 中晚期原发性肝癌LinCMOSâ ?? ¢ RAIL- TO -RAIL极低功耗OPERATIOPNAL放大器 Advanved LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY-LOW-POWER OPERATIOPNAL AMPLIFIERSLinCMOSE低电压低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨极低功耗运算放大器 ADVANCED LINCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

供电电流 140 µA 39 µA 140 µA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

输入补偿漂移 500 nV/K 1.10 µV/K 500 nV/K

带宽 187 kHz 27.0 kHz 187 kHz

转换速率 100 mV/μs 30.0 mV/μs 120 mV/μs

增益频宽积 200 kHz 85 kHz 200 kHz

输入补偿电压 200 µV 1.1 mV 200 µV

输入偏置电流 1 pA 0.6 pA 1 pA

耗散功率 - 950 mW 950 mW

增益带宽 - 85 kHz 0.2 MHz

耗散功率(Max) - 950 mW -

共模抑制比(Min) - 65 dB -

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

长度 - - 8.65 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

香港进出口证 - NLR -

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