对比图
型号 IXDN402SI-TR IXDN604SI IXDN602SITR
描述 MOSFET DRVR 2A 2Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC T/RIXDN 系列 35 V 4 A 1.3 Ohm 双通道低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 FET驱动器FET驱动器
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 - SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 - 9ns, 8ns 7.5ns, 6.5ns
输出接口数 - 2 2
上升时间 - 16 ns 15 ns
下降时间 - 14 ns 15 ns
下降时间(Max) - - 15 ns
上升时间(Max) - - 15 ns
工作温度(Max) - - 125 ℃
工作温度(Min) - - -40 ℃
电源电压 - 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
输出电流(Max) - 4 A -
封装 - SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TA) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99