对比图
型号 FDPF8N50NZ FDPF8N60ZUT FDPF5N50NZF
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220F TubeUniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF5N50NZF 场效应管, MOSFET, N沟道, UNITFET, 500V, 4.2A, TO-220F
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 1.15 Ω 1.57 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 40.3 W 34.5 W 30 W
阈值电压 5 V 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 600 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 8A 6.5A 4.2A
输入电容(Ciss) 735pF @25V(Vds) 1265pF @25V(Vds) 485pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 40.3 W 34.5 W 30 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 40.3W (Tc) 34.5W (Tc) 30W (Tc)
上升时间 34 ns 30 ns -
下降时间 27 ns 35 ns -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 600 V -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.16 mm 10.36 mm -
宽度 4.7 mm 4.9 mm -
高度 15.87 mm 16.07 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
香港进出口证 NLR - -