R1RW0416DGE-2LR和R1RW0416DSB-2PR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1RW0416DGE-2LR R1RW0416DSB-2PR R1RW0416DSB-2PI

描述 4M高速SRAM ( 256千字×16位) 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)4M高速SRAM ( 256千字×16位) 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)宽温度范围版本4M高速SRAM ( 256千字× 16位) Wide Temperature Range Version 4M High Speed SRAM (256-kword × 16-bit)

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SOJ TSOP TSOP

封装 SOJ TSOP TSOP

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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