IXTQ60N20L2和IXTT60N20L2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTQ60N20L2 IXTT60N20L2 IXTP60N20T

描述 N沟道 200V 60ATrans MOSFET N-CH 200V 60A Automotive 3Pin(2+Tab) TO-268通孔 N 通道 200V 60A(Tc) 500W(Tc) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

耗散功率 540W (Tc) 540 W 500W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 10500pF @25V(Vds) 4530pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 540W (Tc) 540W (Tc) 500W (Tc)

上升时间 - 23 ns 13 ns

下降时间 - 18 ns 22 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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