BXZ55C5V6和BZX55C5V6-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BXZ55C5V6 BZX55C5V6-TR BZX79C5V6-AP

描述 DO-35 5.6V 0.5W(1/2W)VISHAY BZX55C5V6-TR Zener Single Diode, 5.6V, 0.5W(1/2W), DO-35, 5%, 2Pins, 175℃DO-35 5.6V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 - 2 -

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 5.6 V 5.6 V 5.6 V

容差 - ±5 % -

击穿电压 - 6.00 V -

正向电压 - 1.5V @200mA -

测试电流 - 5 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

长度 - 3.9 mm -

宽度 - 1.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

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