MRF559和NTE278

对比图

型号 MRF559 NTE278 BFR96

描述 射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORSNTE ELECTRONICS  NTE278.  射频晶体管, NPN, 20V, 1.2GHZRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.075A I(C), 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.28INCH, PM-4

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics Advanced Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 4 3 -

封装 Macro-X TO-39 -

耗散功率 2000 mW 2.5 W -

输出功率 0.5 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 16 V - -

增益 9.5 dB - -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V - -

额定功率(Max) 2 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW 2500 mW -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

直流电流增益(hFE) - 40 -

高度 2.54 mm 6.6 mm -

封装 Macro-X TO-39 -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 85412900951 -