BR34L02FV-WE2和BR34L02FVT-WE2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BR34L02FV-WE2 BR34L02FVT-WE2

描述 DDR1 / DDR2为内存模块)内存SPD DDR1/DDR2 For memory module) SPD Memory2Kbit的串行I2C总线的EEPROM SPD对于DRAM内存模块 2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SSOP-8 TSSOP-8

时钟频率 400 kHz 400 kHz

存取时间(Max) 3500 ns 3500 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 5.5V 1.7V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V

电源电压(Min) - 1.7 V

频率 400 kHz -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) -

存取时间 400 ms -

内存容量 250 B -

封装 SSOP-8 TSSOP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

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