SI3483CDV-T1-E3和SI3483DV-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI3483CDV-T1-E3 SI3483DV-T1-GE3 SI3483CDV-T1-GE3

描述 Trans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6Pin TSOP T/RMOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOPTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6Pin TSOP T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

引脚数 6 - -

耗散功率 2 W 1.14W (Ta) 4.2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

耗散功率(Max) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 1.14W (Ta) 2W (Ta), 4.2W (Tc)

漏源极电阻 27 mΩ - -

极性 P-Channel - -

连续漏极电流(Ids) -8.00 A - -

输入电容(Ciss) 1000pF @15V(Vds) - 1000pF @15V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

上升时间 - - 15 ns

下降时间 - - 10 ns

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TA) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -

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