JAN1N823和RH823-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N823 RH823-1 1N823A

描述 6.2与6.55伏温度补偿6.2和6.55伏温度补偿 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature CompensatedDO-7 6.2V 0.5W(1/2W)Zener Diode Temperature Compensated 5.9-6.5V 0.5W(1/2W) Do-7 Case 0.005 Tc

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 齐纳二极管分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-7 DO-7 -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 7.5 mA -

稳压值 - 6.2 V -

封装 DO-7 DO-7 -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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