对比图
型号 IXTA75N10P STB60NF10T4 IXTQ75N10P
描述 MOSFET N-CH 100V 75A TO-263N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTO-3P N-CH 100V 75A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-3-3
引脚数 3 3 -
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - - 21 mΩ
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 360 W 300W (Tc) 360 W
阈值电压 - - 5.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - - 100 V
连续漏极电流(Ids) - 40.0 A 75A
上升时间 53 ns 56 ns 53 ns
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
下降时间 45 ns 23 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 300W (Tc) 360W (Tc)
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 80.0 A -
输入电容 - 4270 pF -
额定功率(Max) - 300 W -
长度 - 10.75 mm 15.8 mm
宽度 - 10.4 mm 4.9 mm
高度 - 4.6 mm 20.3 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -