对比图
型号 FQB6N25 IRF624S F6-24
描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETMOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAKTRANSISTOR 4.4 A, 250 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount -
封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK
额定电压(DC) - 250 V -
额定电流 - 4.40 A -
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V -
漏源击穿电压 - 250 V -
连续漏极电流(Ids) 5.5A 4.40 A -
上升时间 - 13.0 ns -
输入电容(Ciss) - 260pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -
封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Tube -
RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead -