对比图
型号 IRF7811AV IRF7811AVTRPBF IRF7811AVPBF
描述 SOIC N-CH 30V 10.8A晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 VINFINEON IRF7811AVPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 3.5 W 3.5 W
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 14 mΩ 0.011 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.50 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 10.8 A 10.8A 10.8A
上升时间 21.0 ns 21 ns 21 ns
输入电容(Ciss) 1801pF @10V(Vds) 1801pF @10V(Vds) 1801pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
下降时间 - 10 ns 10 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
输入电容 - 1801pF @10V -
漏源击穿电压 30.0 V 30 V -
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 14.0 A - -
产品系列 IRF7811AV - -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17