LM5101AM/NOPB和LM5101AMX/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM5101AM/NOPB LM5101AMX/NOPB HIP2101IBZ

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM5101AM/NOPB  芯片, MOSFET栅极驱动器3A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate DriversINTERSIL  HIP2101IBZ  双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 9V-14V电源, 2A输出, 25ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Intersil (英特矽尔)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 14.0V (max) - 9.00V (min)

上升/下降时间 430ns, 260ns 430ns, 260ns 10 ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 - - 2.00 A

针脚数 8 8 8

耗散功率 - - 1.3 W

上升时间 430 ns 430 ns 600 ns

下降时间 260 ns 260 ns 600 ns

下降时间(Max) 260 ns 260 ns 600 ns

上升时间(Max) 430 ns 430 ns 600 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - - 1300 mW

电源电压 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V 14 V 14 V

电源电压(Min) 9 V 9 V 9 V

静态电流 200 µA 200 µA -

通道数 2 - -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.45 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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