对比图
型号 IRF7104 IRF9953TRPBF IRF7104PBF
描述 SOIC P-CH 20V 2.3AHEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF7104PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -20 V, 250 mohm, -10 V, -3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -20.0 V - -
额定电流 -2.30 A - -
极性 Dual P-Channel P-CH Dual P-Channel
产品系列 IRF7104 - -
漏源极电压(Vds) 20.0 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 -20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 2.30 A 2.3A 2.3A
上升时间 16.0 ns 14 ns 16 ns
额定功率 - 2 W 2 W
通道数 - - 2
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.165 Ω 0.25 Ω
耗散功率 - 2 W 2 W
阈值电压 - 1 V 3 V
热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)
输入电容(Ciss) - 190pF @15V(Vds) 290pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 2 W 2 W
下降时间 - 6.9 ns 30 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2 W 2 W
输入电容 - 190 pF -
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 3.9 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -