JAN2N2905A和JANTXV2N2905A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N2905A JANTXV2N2905A 2N2905A

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3Pin TO-39 BoxPNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Raytheon (雷神) ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-39-3 TO-205

极性 - PNP -

耗散功率 - 0.8 W 0.6 W

最小电流放大倍数(hFE) - 50 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 450 -

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 800 mW 600 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 60 V

额定功率(Max) - - 800 mW

封装 - TO-39-3 TO-205

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Box Bag

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

军工级 - Yes -

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