BC33725TA和BC638TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC33725TA BC638TA BC33725TF

描述 ON Semiconductor BC33725TA , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装小信号 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 100 MHz 50 MHz 100 MHz

耗散功率 625 mW 1 W 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 60 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 40 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -1.00 A -

额定功率 - 800 mW -

极性 - PNP -

集电极最大允许电流 - 1A -

最大电流放大倍数(hFE) - 160 -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 400 - -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

长度 5.2 mm 4.58 mm -

宽度 4.19 mm 3.86 mm -

高度 5.33 mm 4.58 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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