7200L12SOG8和7200L12TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7200L12SOG8 7200L12TP IDT7200L15SO8

描述 Ic Mem Fifo 256x9 12ns 28-Soic先进先出 256 X 9 CMOS PARALLEL FIFIC MEM FIFO 256X9 15NS 28-SOIC

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 28 28 -

封装 SOIC-28 DIP-28 SOIC-28

电路数 - 1 -

存取时间 12 ns 12 ns 15 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

长度 17.9 mm 34.3 mm -

宽度 8.40 mm 7.62 mm -

高度 - 3.3 mm -

封装 SOIC-28 DIP-28 SOIC-28

厚度 2.62 mm 3.30 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99

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