MBT2222ADW1T1和MBT2222ADW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBT2222ADW1T1 MBT2222ADW1T1G

描述 通用晶体管 General Purpose TransistorON SEMICONDUCTOR  MBT2222ADW1T1G.  双极性晶体管, HFE 300

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V

额定电流 600 mA 600 mA

极性 Dual NPN NPN

耗散功率 150 mW 150 mW

增益频宽积 300 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 35 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 300 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW

频率 - 300 MHz

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 6

额定功率(Max) - 150 mW

直流电流增益(hFE) - 35

长度 2 mm 2.2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

香港进出口证 NLR -

ECCN代码 - EAR99

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