IRF7402TR和IRF7402TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7402TR IRF7402TRPBF

描述 SOIC N-CH 20V 6.8AIRF7402TRPBF 编带

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

漏源极电阻 - 0.05 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W

产品系列 - -

输入电容 - 650pF @15V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.8A 6.8A

上升时间 - 47 ns

输入电容(Ciss) 650pF @15V(Vds) 650pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - -

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

针脚数 - 8

阈值电压 - 700 mV

下降时间 - 32 ns

长度 - 5 mm

高度 - 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

宽度 - 3.9 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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