JAN1N6116US和JANS1N6116US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6116US JANS1N6116US 1N6116US

描述 E-MELF 20.6V 500WE-MELF 20.6V 500WTvs Diode 20.6vwm Sqmelf

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 SQ-MELF E-MELF SQ-MELF

钳位电压 - 37.4 V 37.4 V

测试电流 - 50 mA 50 mA

脉冲峰值功率 500 W 1500 W 500 W

最小反向击穿电压 24.42 V - 24.42 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

最大反向电压(Vrrm) 20.6V 20.6V -

封装 SQ-MELF E-MELF SQ-MELF

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司