1N6163A和JAN1N6163A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6163A JAN1N6163A 1N6163A.TR

描述 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORSTrans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 C C -

钳位电压 103.1 V 103.1 V -

最大反向电压(Vrrm) 56V 56V -

测试电流 20 mA 20 mA -

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W -

最小反向击穿电压 71.3 V 71.3 V -

击穿电压 71.3 V 71.3 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -

封装 C C -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

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