SI4288DY-T1-GE3和SI4942DY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4288DY-T1-GE3 SI4942DY-T1-E3 SI4942DY-T1-GE3

描述 Dual N-Channel 40V 20mOhm 2W Surface Mount TrenchFET Mosfet - SOIC-8MOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOICMOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) - 7.40 A 5.30 A

额定功率(Max) 3.1 W 1.1 W 1.1 W

耗散功率 3.1 W 1.10 W -

通道数 2 - -

漏源极电阻 0.0165 Ω - -

阈值电压 1.2 V - -

输入电容(Ciss) 580pF @20V(Vds) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -

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