对比图
型号 IXFR21N100Q IXFR24N100Q3 APT10050JLC
描述 ISOPLUS N-CH 1000V 18AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备POWER MOS VI 1000V 19A 0.5Ω
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Advanced Power Technology
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-247-3 -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 350W (Tc) 500W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V -
连续漏极电流(Ids) 18A 18A -
上升时间 18 ns 24 ns -
输入电容(Ciss) 5900pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds) -
下降时间 12 ns 14 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 350W (Tc) 500W (Tc) -
封装 TO-247-3 TO-247-3 -
长度 - 16.13 mm -
宽度 - 5.21 mm -
高度 - 21.34 mm -
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -