BC856BW-7和BC856BWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856BW-7 BC856BWT1G BC856BW,135

描述 Transistors Bipolar - BJT PNP BIPOLARON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-323-3

频率 - 100 MHz -

额定电压(DC) - -65.0 V -

额定电流 - -100 mA -

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 150 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 150 mW 200 mW

直流电流增益(hFE) - 150 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 150 mW 200 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 220 @2mA, 5V

长度 - 2.2 mm 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm 1.35 mm

高度 - 0.9 mm 1 mm

封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-323-3

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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