71V424L10YGI和IDT71V424L10YI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V424L10YGI IDT71V424L10YI

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 36Pin SOJ Tube3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 512K ×8位) 3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT)

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 36 -

封装 BSOJ-36 BSOJ-36

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

长度 23.4 mm -

宽度 10.2 mm -

封装 BSOJ-36 BSOJ-36

厚度 2.20 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead

ECCN代码 - 3A991

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