FQB2N60TM和FQD2N60C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB2N60TM FQD2N60C

描述 MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 DPAK

极性 N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 2.40 A 1.9A

额定电压(DC) 600 V -

额定电流 2.40 A -

漏源极电阻 4.70 Ω -

耗散功率 3.13 W -

漏源击穿电压 600 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

上升时间 25 ns -

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) -

下降时间 25 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 64W (Tc) -

封装 TO-263-3 DPAK

长度 10.67 mm -

宽度 9.65 mm -

高度 4.83 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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