对比图
型号 FQB8P10 FQB8P10TM
描述 100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFETP沟道 100V 8A
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类
封装 D2PAK TO-263-3
引脚数 - 3
极性 P-CH -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 8A -
耗散功率 - 3.75 W
上升时间 - 110 ns
输入电容(Ciss) - 360pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.75 W
下降时间 - 35 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3750 mW
封装 D2PAK TO-263-3
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 -
含铅标准 - Lead Free